Dom - Proizvodi - Power Semiconductor Device - Sic Device - Detalji

Sic Mosfet

SiC MOSFET ima višu frekvenciju prebacivanja, vrlo nisko prebacivanje
gubitke, poboljšava efikasnost konverzije energije sistema i
smanjuje zahtjeve za rasipanje topline u termičkom ciklusu, i
sa IGBT-kompatibilnim pogonskim naponom, potpuno kontrolisani dv/dt,
visok napon blokiranja sa malim{0}}otporom, brza intrinzična dioda
sa niskim povratnim povratom, temperaturno neovisno isključivanje{0}}isključivanje
gubici, bez halogena, usklađeno sa RoHS. Uglavnom se primjenjuje na: PV inverter,
skladištenje energije, industrijsko napajanje, motorni pogon, gomila za punjenje
i drugim poljima.

Pošaljite upit

Opis

SiC MOSFET je tranzistor sa efektom polja- zasnovan na poluprovodničkom materijalu od silicijum karbida,

koji ima značajno poboljšanje u performansama u poređenju sa tradicionalnim silicijumskim MOSFET-om. ‌

Ključne prednosti SiC MOSFET-a uključuju:

Visoka radna frekvencija : Radna frekvencija SiC MOSFET-a je mnogo viša od tradicionalne

silicijumski MOSFET-i, mogu doseći 1MHz ili čak i više, što čini sistem napajanja u

zapremina kondenzatora, induktora ili transformatora može se smanjiti, čime se smanjuju troškovi

napajanje, kako bi se postigla minijaturizacija i ljepota snage ‌.

‌ niska na-impedansa ‌ : uključena-impedansa SiC MOSFET-a je niska, a minimalna interna

otpor jedne cijevi može doseći nekoliko miljoma, što pomaže u smanjenju upotrebe

hladnjaka, dodatno smanjuju volumen i težinu napajanja i poboljšavaju

efikasnost i pouzdanost napajanja ‌.

‌visoki napon‌: SiC MOSFET-ovi imaju otpornost na visoki napon, što je posebno važno

za aplikacije visokog pritiska.

‌stabilnost na visokim temperaturama‌: zbog svojih radnih karakteristika na visokim temperaturama, SiC MOSFET

uvelike poboljšava stabilnost na visokim temperaturama, pogodan za rad na visokim temperaturama

okruženje.

Visoka radna temperatura ‌ : Maksimalna zagarantovana radna temperatura od

komercijalni SiC MOSFET je 150 stepeni < Tj < 200 stepeni, a temperatura spoja može doseći

do 600 stepeni, što čini SiC pogodnim za visoki napon, veliku brzinu, veliku struju, visoku temperaturu,

aplikacije za prebacivanje napajanja ‌.

br.	Paket	BVDSS(V)	ID(A)@Tc=25 stepen	VGS(V)	RDS(on) (mΩ)tip	Tjmx (stepen)	Qg(nC)
WSCM01KMA170T2C	TO-263US-7L	1700	5	-5~15	720	175	13
WSCM01KJ170T2C	TO-247-3L	1700	5	-5~15	720	175	13
WSCM160R120T2C	TO-247-4L	1200	17	-5~20	160	175	42
WSCM80MA120T2C	TO-263US-7L	1200	28	-5~20	80	175	85
WSCM80R120T2C	TO-247-4L	1200	28	-5~20	80	175	85
WSCM032MA120T2C	TO-263US-7L	1200	60	-5~18	30	175	128
WSCM032R120T2C	TO-247-4L	1200	60	-5~18	30	175	128
WSCM060LL65T2C	TOLL	650	30	-5~20	60	175	65
WSCM060R65T2C	TO-247-4L	650	30	-5~20	60	175	65
WSCM035J65T2C	TO-247-3L	650	60	-5~18	35	175	70
WSCM035R65T2C	TO-247-4L	650	60	-5~18	35	175	70
WSCM035LL65T2C	TOLL	650	60	-5~18	35	175	70
WSCM032J120T2C	TO-247-3L	1200	60	-5~18	30	175	128
WSCM80J120T2C	TO-247-3L	1200	28	-5~20	80	175	85
WSCM01KEA170T2C	TO-3PF	1700	5	-5~15	720	175	13