Дөйөм - эмитер көсәйткесенең сығышы ниндәй?

Эй унда! Транзистор тәьмин итеүсе булараҡ, мин йыш ҡына транзисторҙар һәм уларҙы ҡулланыу тураһында төрлө һорауҙар бирелә. Бер һорау, тип килә, ярайһы уҡ бер аҙ тураһында сығыш ҡаршылыҡ дөйөм - эмитер көсәйткес. Шулай итеп, әйҙәгеҙ, туранан-тура һыу инеп, уны өҙөп.

Беренсенән, әйҙәгеҙ, тиҙ генә аша үтергә, нимә дөйөм - эмитер көсәйткес. Дөйөм - эмитер көсәйткес иң киң ҡулланылған транзистор көсәйткес конфигурацияларының береһе булып тора. Был ҡоролмала транзисторҙағы эмитер терминалы инеү һәм сығыу схемалары өсөн дә уртаҡ. Ул’s юғары көсөргәнешле өҫтөнлөк, уртаса инеү импеданс, һәм сағыштырмаса юғары етештереүсәнлеге импеданс менән билдәле.

Хәҙер, әйҙәгеҙ, сығыш ҡаршылыҡ тураһында һөйләшәйек. Сығыш ҡаршылығы – көсәйткестәргә килгәндә, хәл иткес параметр. Ул, нигеҙҙә, нисек үҙен тота көсәйткес үҙен тота, ҡасан ул’ы йөк менән тоташтырылған. Һеҙ уны эквивалентлы ҡаршылыҡ тип уйларға мөмкин, тип көсәйткес йөккә тәҡдим итә, уның сығышына тоташтырылған.

Дөйөм - эмитер көсәйткес өсөн сығыш ҡаршылыҡ башлыса ике фактор менән билдәләнә: Иртә эффекты һәм коллекторға тоташтырылған йөк ҡаршылыҡ.

Иртә эффекты — биполяр юл транзисторҙарында (БЖТ) күренеше. Ҡасан һеҙ арттырыу коллекционер - эмиттер көсөргәнеше (VCE) БЖТ, киңлеге база - коллекционер кәмеү төбәге арта. Был, үҙ сиратында, һөҙөмтәле нигеҙ киңлеген кәметә. База киңлеге кәмегән һайын, база өлкәһендә рекомбинациялаусы ташыусылар һаны кәмей, был коллектор тогының артыуына килтерә. Был бәйләнеш коллектор тогы менән коллектор араһындағы - эмитер көсөргәнеше Иртә көсөргәнеш (ВА) менән һүрәтләнә.

Математик яҡтан, сығыш ҡаршылығы (ро) BJT арҡаһында Иртә эффекты тип әйтергә мөмкин:

ро = ва / ик

унда VA — Иртә көсөргәнеш һәм ИК — DC коллектор тогы. Иртә көсөргәнеш — транзисторҙың характерлы параметры һәм транзистор мәғлүмәттәре битендә табырға мөмкин.

Хәҙер, ҡасан һеҙ йөк ҡаршылыҡ (RL) дөйөм йыйыусы коллекторға тоташтырылған - эмитер көсәйткес, дөйөм сығыу ҡаршылыҡ (Маруш) көсәйткес параллель комбинацияһы менән бирелә ro һәм RL. Йәғни:

1/Раут = 1/ро + 1/RL .

йәки

Маршрут = (ро * РЛ) / (ро + РЛ)

Быны яҡшыраҡ аңлау өсөн миҫалға күҙ һалайыҡ. Әйтәйек, беҙҙә транзистор менән Иртә көсөргәнеш VA = 100 В һәм DC коллектор ток IC = 1 мА. Беренсенән, беҙ сығарыу ҡаршылыҡты иҫәпләйбеҙ, сөнки Иртә эффекты:

ро = VA / IC = 100 В / 1 мА = 100 кΩ

Хәҙер, әйҙәгеҙ, беҙ йөк ҡаршылығын тоташтырыу RL = 10 кΩ коллекторға тоташтырыу. Беҙ көсәйткестең дөйөм сығышына ҡаршы тороусанлығын түбәндәгесә иҫәпләй алабыҙ:

Маршрут = (ро * RL) / (ро + РЛ) = (100 кΩ * 10 кΩ) / (100 кΩ+ 10 кΩ) ≈ 9,09 кΩ

Ҡаршылыҡтың дөйөм - эмитер көсәйткесенең бер нисә эҙемтәләре бар. Юғары сығыш ҡаршылыҡ тигәнде аңлата, көсәйткес ҙур көсөргәнеш өҫтәү еткерә ала. Әммә был шулай уҡ тигәнде аңлата, көсәйткес бик оҫта түгел, водитель түбән - импеданс йөкләмәләр. Ҡасан һеҙ тоташтырыу түбән - импеданс йөкләмәһе көсәйткес менән юғары сығыу ҡаршылыҡ, ҙур күләмдә сығыш көсөргәнеше тышҡы ҡаршылыҡ буйынса төшөрөлә, һөҙөмтәлә йөк аша көсөргәнеш кәметелгән.

Икенсе яҡтан, түбән сығыу ҡаршылыҡ көсәйткес двигателдәр түбән - импеданс йөкләмәләрен һөҙөмтәлерәк идара итеү мөмкинлеге бирә. Йөк аша көсөргәнеш көсәйткестең сығыш көсөргәнешенә яҡыныраҡ буласаҡ, һөҙөмтәлә йөккә яҡшыраҡ ҡөҙрәт тапшырыу.

А булараҡТранзистортәьмин итеүсе, мин аңлайым, мөһим һайлау өсөн дөрөҫ транзистор һеҙҙең өсөн көсәйткес дизайн. Төрлө транзисторҙар төрлө Иртә көсөргәнеш һәм башҡа үҙенсәлектәргә эйә, улар һеҙҙең дөйөм - эмитер көсәйткесенең сығыш ҡаршылыҡына йоғонто яһай ала. Шуға күрә беҙ тәҡдим итәбеҙ, киң спектр транзисторҙар менән төрлө спецификацияһы һеҙҙең аныҡ ихтыяждарҙы ҡәнәғәтләндерергә.

Ҡасан һеҙ’ы проектлау дөйөм - эмитер көсәйткес, был мөһим, һеҙҙең ҡушымта нигеҙендә ҡаршылыҡ талаптарын ҡарарға. Әгәр һеҙ’юғары өсөн көсәйткес төҙөү - импеданс йөкләмәһе, кеүек юғары өсөн юғары - импеданс микрофон, транзистор менән сағыштырмаса юғары сығыш ҡаршылыҡ яҡшы һайлау булыуы мөмкин. Икенсе яҡтан, әгәр һеҙгә кәрәк, тип драйвер түбән - импеданс йөкләмәһе, мәҫәлән, динамик, һеҙ’ll теләйем, транзистор һайларға, тип тәьмин итә ала түбән сығыу ҡаршылыҡ.

Беҙ шулай уҡ ентекле мәғлүмәт ҡағыҙҙары бирә, беҙҙең бөтә транзисторҙар, улар тураһында мәғлүмәтте үҙ эсенә ала Иртә көсөргәнеш һәм башҡа параметрҙар, һеҙгә ярҙам итә ала, һеҙҙең көсәйткес сығыу ҡаршылыҡтарын иҫәпләп сығарыу. Беҙҙең техник ярҙам командаһы һәр ваҡыт әҙер ярҙам итергә һеҙгә теләһә ниндәй һорауҙарға һеҙ, бәлки, транзистор һайлау йәки көсәйткес дизайн тураһында.

Әгәр һеҙ’ы процесында проектлау дөйөм - эмитер көсәйткес йәки башҡа теләһә ниндәй транзистор - нигеҙендә схема, мин һеҙгә беҙгә мөрәжәғәт итергә саҡырам. Беҙ һеҙгә ярҙам итә ала, дөрөҫ транзистор һайларға, тип һеҙгә кәрәкле сығыш ҡаршылыҡ һәм етештереүсәнлек бирәсәк. Һеҙ’ы хобби эшләү өсөн бәләкәй проект йәки инженер проектлау ҙур - масштаблы электрон система, беҙ һеҙгә ярҙам итеү өсөн продукция һәм экспертиза.

Шулай итеп, тартынмағыҙ, беҙҙең менән бәйләнешкә инеү өсөн һатып алыу процесын башлау һәм һеҙҙең аныҡ талаптарҙы тикшерергә. Беҙ һеҙҙең менән эшләүҙе көтәбеҙ һәм һеҙгә ярҙам итеү өсөн иң яҡшы һөҙөмтәләргә өлгәшергә һеҙҙең көсәйткес дизайн.

Һылтанмалар

• Седра, А.С., & Смит, К.С. (2015). Микроэлектрон схемалар. Оксфорд университеты нәшриәте.
• Бойлестад, Р.Л., & Нашельский, Л. (2013). Электрон ҡоролма һәм схема теорияһы. Пирсон.