Дөйөм - база көсәйткесенең инеүгә ҡаршы тороусанлығы ниндәй?

Дөйөм - база көсәйткесенең инеүгә ҡаршы тороусанлығы ниндәй?

Ышаныслы транзистор менән тәьмин итеүсе булараҡ, мин’ве инженерҙар, хобби һәм электроника энтузиастары менән күп һанлы һөйләшеүҙәр транзистор ҡушымталарының төрлө аспекттары тураһында. Йыш ҡына килеп сыҡҡан теманың береһе – дөйөм - база көсәйткесенең индереүгә ҡаршы тороусанлығы. Был блогтағы яҙмала, мин тәрән тәрән инеп, нимәгә ҡаршы тороусанлыҡ индереү дөйөм - база көсәйткес, ни өсөн ул мөһим, һәм нисек йоғонто яһай схемаһы дизайн.

Дөйөм аңлау - база көсәйткес

Беҙ фекер алышыу алдынан индереү ҡаршылыҡ, әйҙәгеҙ, ҡыҫҡаса ҡарап, ниндәй дөйөм - база көсәйткес. Дөйөм - база көсәйткес — өс төп бер - этаплы биполяр юл транзисторының береһе (BJT) көсәйткес топологиялары, дөйөм - эмиттер һәм дөйөм - коллекционерҙар көсәйткестәр менән бергә. Дөйөм - база конфигурацияһында транзисторҙағы база терминалы — инеү һәм сығыу сигналдары араһындағы дөйөм терминал.

Дөйөм - база көсәйткес бер нисә үҙенсәлекле үҙенсәлек тәҡдим итә. Ул юғары көсөргәнешле өҫтөнлөккә эйә, инеү ҡаршылығы түбән, һәм юғары сығыш ҡаршылыҡ. Ул шулай уҡ инвертингһыҙ ​​көсөргәнеш өҫтәүен тәьмин итә, тимәк, сығыш сигналы индереү сигналы менән фазала. Был үҙенсәлектәр уны юғары йышлыҡтағы көсәйткестәр һәм импеданс тап килгән схемалар кеүек аныҡ ҡушымталар өсөн яраҡлы итә.

Ҡаршылыҡ индереүҙе билдәләү

Ҡаршылыҡ индереү, тип билдәләнгән (R_{in}), теләһә ниндәй көсәйткес схемаһында мөһим параметр булып тора. Ул эквивалентлы ҡаршылыҡты күрһәтә, тип индереү сығанағы "күрәs" ҡасан тоташтырылған көсәйткес. Йәғни, ул инеү көсөргәнеше ((Дельта V_{in})) инеү токының (((Дельта I_{in})) үҙгәрешенең көсәйткестәге инеү терминалдарында үҙгәрешенең нисбәте.

Математик яҡтан, (R_{in}=\frac{\Delta V_{in}}{\Дельта I_{in}})

Дөйөм - база көсәйткес өсөн инеүгә ҡаршы тороусанлыҡ башҡа көсәйткес конфигурациялары менән сағыштырғанда сағыштырмаса түбән. Был түбән инеүгә ҡаршы тороусанлыҡ транзистор дөйөм - база конфигурацияһында эшләү ысулы һөҙөмтәһе булып тора.

Дөйөм - база көсәйткес индереүгә ҡаршы тороусанлыҡты иҫәпләү

Дөйөм - база көсәйткес индереү ҡаршылығын иҫәпләү өсөн, беҙ бәләкәй - сигнал моделе менән башлай аласыз биполяр юл транзисторы. Бәләкәй сигнал моделендә транзисторҙы ток менән идара ителгән ток сығанағы һәм резисторҙар йыйылмаһы менән күрһәтергә мөмкин.

Дөйөм - база көсәйткес өсөн NPN BJT ҡулланып, индереү ҡаршылыҡты түбәндәге формула менән яҡынлаштырырға мөмкин:

(R_{in}=\frac{r_{e}}{1 + \бета})

бында (r_{e}) — бәләкәй - сигнал эмитер ҡаршылыҡ һәм (\бета) — транзисторҙың ток өҫтөнлөгө.

Бәләкәй - сигнал эмитер ҡаршылыҡ (r_{e}) формула ярҙамында иҫәпләп була:

(r_{e}=\frac{V_{T}}{I_{E}}.)

бында (V_{T}) — термик көсөргәнеш (бүлмә температураһында яҡынса 26 мВ) һәм (I_{E}) — DC эмиттер тогы.

Әйҙәгеҙ, был иҫәп-хисапты күрһәтеү өсөн миҫал килтерәйек. Әйтәйек, беҙҙә дөйөм - база көсәйткес менән DC эмиттер тогы (I_{E} = 1\киңлек mA). Беренсенән, беҙ бәләкәй - сигнал эмитер ҡаршылыҡ иҫәпләйбеҙ:

( r_{e}=\frac{V_{TH}{I_{E}}=\frac{26\space mV}{1\ mA}= 26\Омега)

Ток өҫтөнлөк (\бета = 100) фаразлап, дөйөм - база көсәйткес индереү ҡаршылығы:

(1+ 1+\бета}=\frac{26\Омега}{1 + 100}\аппрокс00.26\Омега)

Ни өсөн түбән инеүгә ҡаршы тороусанлыҡ мәсьәләләре

Дөйөм - база көсәйткесенең түбән инеүгә ҡаршы тороусанлығы схема конструкцияһы өсөн бер нисә эҙемтәләргә килтерә.

1. Сигнал сығанаҡтары талаптары
Түбән инеүгә ҡаршы тороусанлыҡ тигәнде аңлата, көсәйткес индереү сигналы сығанағынан сағыштырмаса ҙур ток тарта. Был сигнал сығанағынан һиҙелерлек зәғифләндереүҙән ҡотолоу өсөн тышҡы ҡаршылыҡтың түбән булыуы талап ителә. Әгәр сигнал сығанағы юғары сығыу ҡаршылыҡҡа эйә булһа, ҙур көсөргәнеш төшөүе сығанаҡ ҡаршылығы буйынса буласаҡ, көсөргәнеште кәметә, көсәйткес индереүҙә бар.

2. Имперденс тап килгән
Ҡайһы бер ҡушымталарҙа, импеданс тап килтереп, сигнал сығанағы һәм көсәйткес араһында ҡөҙрәт тапшырыуҙы арттырыу өсөн мөһим. Дөйөм - база көсәйткесенең түбән инеүгә ҡаршы тороусанлығын билдәле сигнал сығанаҡтарының, мәҫәлән, антенналар йәки түбән - импеданс датчиктарының түбән сығыу ҡаршылыҡына тап килтерер өсөн ҡулланырға мөмкин. Был сығанаҡтан көсәйткескә ҡөҙрәтте һөҙөмтәле тапшырыу мөмкинлеген бирә.

3. Юғары - Йышлыҡ етештереүсәнлеге
Дөйөм - база көсәйткесенең түбән инеүгә ҡаршы тороусанлығы уның бик яҡшы юғары – йышлыҡ эшмәкәрлегенә булышлыҡ итә. Юғары йышлыҡтарҙа транзистор индереү емкость көсәйткестең эшмәкәрлегенә ҙур йоғонто яһай ала. Ҡаршылыҡтың түбән булыуы инеү емкость эффектын кәметергә ярҙам итә, көсәйткес юғары йышлыҡтарҙа сигнал боҙолоуһыҙ юғары йышлыҡтарҙа эшләргә мөмкинлек бирә.

Ҡулланмалар дөйөм - База көсәйткестәре менән түбән инеүгә ҡаршы тороусанлыҡ

Дөйөм үҙенсәлектәре дөйөм - база көсәйткес, шул иҫәптән уның түбән инеү ҡаршылығы, уны төрлө ҡулланыу өсөн яраҡлы итә.

1. Р.Ф.
Радио йышлығында (РФ) схемаларында дөйөм - база көсәйткес йыш ҡына көсәйткес йәки водитель стадияһы булараҡ ҡулланыла. Уның түбән инеүгә ҡаршы тороусанлығын RF антенналарының түбән импедансына тап килтерергә мөмкин, ә юғары йышлыҡтағы эшмәкәрлеге уны һиҙелерлек боҙолоуһыҙ РФ сигналдарын көсәйтергә мөмкинлек бирә.

2. Ағымдағы буферҙар
Дөйөм - база көсәйткес ток буферы булараҡ ҡулланырға мөмкин, юғары - импеданс йөкләмәһен түбән - импеданс сығанағы. Амплифициенттың түбән инеүгә ҡаршы тороусанлығы уны йөкләмәйенсә сығанаҡтан ток һыҙырырға мөмкинлек бирә, ә юғары сығыш ҡаршылыҡ йөктө һөҙөмтәле йөрөтөргә мөмкинлек бирә.

3. Имлеса тап килгән селтәрҙәр
Алда әйтелгәнсә, дөйөм - база көсәйткесенең түбән инеүгә ҡаршы тороусанлығын импеданс тап килгән селтәрҙәрҙә ҡулланырға мөмкин. Көсәйтеүҙең инеү ҡаршылығын сигнал сығанағының сығышҡа ҡаршы тороуына тап килтереп, максималь ҡөҙрәт тапшырыуға өлгәшергә мөмкин.

Беҙҙең транзисторҙар өсөн дөйөм - База көсәйткестәре

Транзистор тәьмин итеүсе булараҡ, беҙ тәҡдим итәбеҙ, киң спектр юғары - сифатлы транзисторҙар, улар дөйөм - база көсәйткес ҡулланыу өсөн яраҡлы. БеҙҙеңТранзисторпродукция етештереүсәнлек, ышаныслылыҡ һәм һөҙөмтәлелек менән тәьмин итеү өсөн тәғәйенләнгән.

Беҙ аңлайбыҙ, мөһимлеген индереү ҡаршылыҡ һәм башҡа төп параметрҙары көсәйткес дизайн. Шуға ла беҙҙең транзисторҙар ентекле һайлап алына һәм төрлө ҡушымталар ҡәтғи талаптарына яуап бирһен өсөн һынала. Һеҙ’юғары - йышлыҡ RF көсәйткес йәки ябай ток буфер схемаһы өҫтөндә эшләйме, беҙ һеҙҙең өсөн дөрөҫ транзистор.

Әгәр һеҙ’беҙҙең транзистор продукцияһы тураһында күберәк белергә йәки аныҡ талаптарығыҙ бар, һеҙҙең дөйөм - база көсәйткес дизайн, беҙ һеҙҙе беҙҙең менән бәйләнешкә инеү өсөн һатып алыуҙар тураһында фекер алышыу. Беҙҙең команда белгестәре һеҙгә ярҙам итергә әҙер иң яҡшы хәл итеү өсөн һеҙҙең ихтыяждар.

Һылтанмалар

1. Седра, А.С., & Смит, К.С. (2015). Микроэлектрон схемалар. Оксфорд университеты нәшриәте.
2. Бойлестад, Р.Л., & Нашельский, Л. (2013). Электрон ҡоролма һәм схема теорияһы. Пирсон.
3. Разави, Б. (2017). Микроэлектроника нигеҙҙәре. Уайли.